英飛凌大學生智能車大賽

    2025年5月6日訊,為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC™JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC™JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。

    Q-DPAK封裝的CoolSiC™JFETG1

    英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁PeterWawer博士表示：“市場需要更加智能、快速且可靠的配電系統(tǒng)，英飛凌將通過CoolSiC™JFET滿足這一日益增長的需求。這項以應用為導向的功率半導體技術(shù)，專為賦能客戶應對這一快速發(fā)展領(lǐng)域中的復雜挑戰(zhàn)而設計，為其提供所需的關(guān)鍵技術(shù)工具。我們自豪地推出具備業(yè)界領(lǐng)先的導通電阻（RDS(ON)）的產(chǎn)品，重新定義了碳化硅（SiC）性能標桿，并進一步鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位�！�

    第一代CoolSiC™JFET擁有最低值為1.5mΩ（750VBDss）/2.3mΩ（1200VBDss）的超低RDS(ON)，能夠大幅減少導通損耗。溝道經(jīng)過優(yōu)化過的SiCJFET在短路和雪崩故障條件下具有高度的可靠性。該產(chǎn)品采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)，并具備可擴展的電流處理能力，能夠為緊湊型高功率系統(tǒng)提供靈活的布局和集成選項。其在熱應力、過載和故障條件下?lián)碛锌深A測的開關(guān)能力，能夠在連續(xù)運行中長期保持極高的可靠性。

    為應對嚴苛應用環(huán)境中的散熱和機械問題，CoolSiC™JFET采用英飛凌先進的.XT互連技術(shù)與擴散焊接工藝，從而顯著降低了器件在工業(yè)電力系統(tǒng)中常見的脈沖與循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。該器件基于固態(tài)功率開關(guān)的實際工況測試和驗證，并采用符合行業(yè)標準的Q-DPAK封裝，可在工業(yè)與汽車應用中實現(xiàn)快速、無縫的設計集成。